你好，三极管9012 的参数是 结构：PNP 集电极-发射极电压 -30V 集电极-基电压 -40V 射极-基极电压 -5V 集电极电流 0.5A 耗散功率 0.625W 结温 150℃ 特怔频率 最小 150MHZ 放大倍数：D64-91 E78-112 F96-135 G122-166 H144-220 I190-300

smd三极管批发价格是39元，三极管的放大作用晶体管是一个电流控制组件，其集极电流IC可以由基极电流IB控制，只需轻微的改变基流IB就可以引起很大的集流变化IC。由于晶体管基流IB的轻微变化可以控制较大的集流IC，我们利用这一特点，用它来放大微弱的电信号。价格来源网络仅供参考哦

您好，你好很高兴为你解答，我大概了解了一下¥2.40 关键|直插三极管 XW6822 SI6822 TX6822 50个 TO92 NPN开关电源管希望对你有帮助

当加在三极管发射结的电压小于PN结的导通电压，基极电流为零，集电极电流和发射极电流都为零，三极管这时失去了电流放大作用，集电极和发射极之间相当于开关的断开状态，即为三极管的截止状态。开关三极管处于截止状态的特征是发射结，集电结均处于反向偏置。 这就是三极管的截止原理。

你好，L6的贴片是PNP的三极管，具体型号是BSS69，管脚排列是从左往右BCE，希望能帮到你。

以下是各商家陶瓷三极管报价： 皇嘉陶瓷有限公司，价格：25元 达佰陶瓷有限公司，价格：28元 美元陶瓷有限公司，价格：24元 价格来源网络，仅供参考。

一般DIP型号的，贴片都有 9013;S8050 100U的电解电容怎么可以随便替换普通的贴片电容呢?有贴片的电解电容.但价格比普通的电解电容贵 比如说MMBT2222A，飞利浦的

9015 硅PNP管 用途:低频放大。VCBO=50V VCEO=45V VEBO=5V ICM=100毫安 PCM=0.45W FT=100MH 放大倍数:60-600(A-C

三极管工作在截至状态和饱和状态： 基极电流为零时，集电极和发射极没有电流，可以视为开路； 当基极有电流时，因为三极管的放大作用，集电极和发射极会有一个放大的电流，当基极电流增大到一定程度时，进入饱和状态：集电极和发射极电流最大并不再增加，可视为开关闭合

常用三极管封装、参数 品 名 极性 管脚 功 能 参 数 MPSA42 NPN 21E 电话视频放大 300V0.5A0.625W MPSA92 PNP 21E 电话视频放大 300V0.5A0.625W MPS2222A NPN 21 高频放大 75V0.6A0.625W300MHZ 9011 NPN EBC 高频放大 50V30mA0.4W150MHz 9012 PNP 贴片 低频放大 50V0.5A0.625W 9013 NPN EBC 低频放大 50V0.5A0.625W 9013 NPN 贴片 低频放大 50V0.5A0.625W 9014 NPN EBC 低噪放大 50V0.1A0.4W150MHZ 9015 PNP EBC 低噪放大 50V0.1A0.4W150MHZ 9018 NPN EBC 高频放大 30V50MA0.4W1GHZ 8050 NPN EBC 高频放大 40V1.5A1W100MHZ 8550 PNP EBC 高频放大 40V1.5A1W100MHZ 2N2222 NPN 4A 高频放大 60V0.8A0.5W25/200NSβ=45 2N2222A NPN 小铁 高频放大 75V0.6A0.625W300MHZ 2N2369 NPN 4A 开关 40V0.5A0.3W800MHZ 2N2907 NPN 4A 通用 60V0.6A0.4W26/70NSβ=200 2N3055 NPN 12 功率放大 100V15A115W 2N3440 NPN 6 视放 开关 450V1A1W15MHZ 2N3773 NPN 12 音频功放开关 160V16A150W COP 2N6609 2N3904 NPN 21E 通用 60V0.2Aβ=100-400

三极管，全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种电流控制电流的半导体器件·其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号， 也用作无触点开关。晶体三极管，是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把整块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种。 您好，三极管13005的价格是几十元左右。

它的参数： 40V、 5A 、0.75W，属于NPN管。 对于不搞研制只管维修的人来说，在管上的另一些标识(第一排标有H,最低下一排标有7L和R)都可以不用管它。

功率三极管价格45元，三极管的功率与他的集电极电流直接有关，是成正比的，与他的集电极、发射极压降直接有关，也是成正比的，所以选择三极管应该多加一些功率预留量，保险起见，应该2倍以上的余量。价格来源于网络，仅供参考！

三极管8050参数是 类型：开关型； 极性：NPN； 材料：硅； 8050三极管（SOT-23封装） 最大集电极电流(A):0.5 A; 直流电增益:10 to 60; 功耗:625 mW; 最大集电极-发射极电压（VCEO）:25;[1] 特征频率:150 MHz PE8050 硅 NPN 30V 1.5A 1.1W 3DG8050 硅 NPN 25V 1.5A FT=190 *K 2SC8050 硅 NPN 25V 1.5A FT=190 *K MC8050 硅 NPN 25V 700mA 200mW 150MHz CS8050 硅 NPN 25V 1.5A FT=190 *K

三极管型号很多，比如P-普通管、V-微波管、W-稳压管、C-参量管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管、N-阻尼管、U- 光电器件、K-开关管、X-低频小功率管(F3MHz,Pc1W)、A-高频大功率管(f>3MHz,Pc>1W)、T-半导体晶闸管(可控整流器)、Y-体效应器件、B-雪崩管、J-阶跃恢复管、CS-场效应管、BT-半导体特殊器件、FH-复合管、PIN-PIN型管、JG-激光器件。

三极管对管主要有低噪声高放大倍数（高增益）NPN三极管。他的放大倍数通常都在400左右。与之配对的PNP三极管是9015 。 严格地说，9013不能代换9014，因为9013的增益远低于9014！9013更适合用于电流较大的继电器驱动等电路中。9014更适合要求增益较高的音频放大等电路中。

B值是三极管的放大倍数。代替是可以的，但注他们的脚位不同。有字面向自己从左到右8050是EBC、13001是ECB13001和8050都是NPN三极管，13001是400V、8050是40V。

常用的NPN三极管：C1815C945 S9013 S9014 S8050 3DD15A~D 2SD880 D882 2N5401，电流从发射极E流入的三极管。三极管导通时IE=（放大倍数+1)*IB和ICB没有关系，ICB=0 ICB>0时,可能三极管就有问题,所以三极管在正常工作时,不管是工作在放大区还是饱和区ICB=0。

这是电子镇流器常用管，耐压400V，Ic仅数百mA，Pc为1W。该管不同封装，不同制造商各参数有一定差异。

1、共射电流放大系数 和β　　在共射极放大电路中，若交流输入信号为零，则管子各极间的电压和电流都是直流量，此时的集电极电流IC和基极电流IB的比就是 ， 称为共射直流电流放大系数。　　当共射极放大电路有交流信号输入时，因交流信号的作用，必然会引起IB的变化，相应的也会引起IC的变化，两电流变化量的比称为共射交流电流放大系数β，即　　(5-6)　　上述两个电流放大系数 和β的含义虽然不同，但工作在输出特性曲线放大区平坦部分的三极管，两者的差异极小，可做近似相等处理，故在今后应用时，通常不加区分，直接互相替代使用。　　由于制造工艺的分散性，同一型号三极管的β值差异较大。常用的小功率三极管，β值一般为20～100。β过小，管子的电流放大作用小，β过大，管子工作的稳定性差，一般选用β在40～80之间的管子较为合适。　　2、极间反向饱和电流ICBO和ICEO　　(1)集电结反向饱和电流ICBO是指发射极开路，集电结加反向电压时测得的集电极电流。常温下，硅管的ICBO在nA(10-9)的量级，通常可忽略。　　(2)集电极-发射极反向电流ICEO是指基极开路时，集电极与发射极之间的反向电流，即穿透电流，穿透电流的大小受温度的影响较大，穿透电流小的管子热稳定性好。　　3、极限参数　　(1)集电极最大允许电流ICM　　晶体管的集电极电流IC在相当大的范围内β值基本保持不变，但当IC的数值大到一定程度时，电流放大系数β值将下降。使β明显减少的IC即为ICM。为了使三极管在放大电路中能正常工作，IC不应超过ICM。　　(2)集电极最大允许功耗PCM　　晶体管工作时、集电极电流在集电结上将产生热量，产生热量所消耗的功率就是集电极的功耗PCM，即　　PCM=ICUCE (5-7)　　功耗与三极管的结温有关，结温又与环境温度、管子是否有散热器等条件相关。根据5-7式可在输出特性曲线上作出三极管的允许功耗线，如图5-8所示。功耗线的左下方为安全工作区，右上方为过损耗区。　　手册上给出的PCM值是在常温下25℃时测得的。硅管集电结的上限温度为150℃左右，锗管为70℃左右，使用时应注意不要超过此值，否则管子将损坏。　　(3)反向击穿电压UBR(CEO)　　反向击穿电压UBR(CEO)是指基极开路时，加在集电极与发射极之间的最大允许电压。使用中如果管子两端的电压UCE>UBR(CEO)，集电极电流IC将急剧增大，这种现象称为击穿。管子击穿将造成三极管永久性的损坏。三极管电路在电源EC的值选得过大时，有可能会出现，当管子截止时，UCE>UBR(CEO)导致三极管击穿而损坏的现象。一般情况下，三极管电路的电源电压EC应小于1/2 UBR(CEO)。　　4、温度对三极管参数的影响　　几乎所有的三极管参数都与温度有关，因此不容忽视。温度对下列的三个参数影响最大。　　(1)对β的影响：　　三极管的β随温度的升高将增大，温度每上升l℃，β值约增大0.5～1%，其结果是在相同的IB情况下，集电极电流IC随温度上升而增大。　　(2)对反向饱和电流ICEO的影响：　　ICEO是由少数载流子漂移运动形成的，它与环境温度关系很大，ICEO随温度上升会急剧增加。温度上升10℃，ICEO将增加一倍。由于硅管的ICEO很小，所以，温度对硅管ICEO的影响不大。　　(3)对发射结电压ube的影响：　　和二极管的正向特性一样，温度上升1℃，ube将下降2～2.5mV。　　综上所述，随着温度的上升，β值将增大，iC也将增大，uCE将下降，这对三极管放大作用不利，使用中应采取相应的措施克服温度的影响。