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三极管参数大全,谁有

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提问者:米德惠| 宁德| 922次浏览
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已有3条回答

回答数:12896 | 被采纳数:93

半导体三极管也称为晶体三极管,可以说它是电子电路中最重要的器件。它最主 要的功能是电流放大和开关作用。三极管顾名思义具有三个电极。二极管是由一个PN结构成的,而三极管由两个PN结构成,共用的一个电极成为三极管的基极(用字母b表示)。其他的两个电极成为集电极(用字母c表示)和发射极(用字母e表示)。由于不同的组合方式,形成了一种是NPN型的三极管,另一种是PNP型的三极管。 三极管的种类很多,并且不同型号各有不同的用途。三极管大都是塑料封装或金属封装,常见三极管的外观,有一个箭头的电极是发射极,箭头朝外的是NPN型三极管,而箭头朝内的是PNP型。实际上箭头所指的方向是电流的方向。 电子制作中常用的三极管有90××系列,包括低频小功率硅管9013(NPN)、9012(PNP),低噪声管9014(NPN),高频小功率管9018(NPN)等。它们的型号一般都标在塑壳上,而样子都一样,都是TO-92标准封装。在老式的电子产品中还能见到3DG6(低频小功率硅管)、3AX31(低频小功率锗管)等,它们的型号也都印在金属的外壳上。我国生产的晶体管有一套命名规则,电子工程技术人员和电子爱好者应该了解三极管符号的含义。 符号的第一部分“3”表示三极管。符号的第二部分表示器件的材料和结构:A——PNP型锗材料;B——NPN型锗材料;C——PNP型硅材料;D——NPN型硅材料。符号的第三部分表示功能:U——光电管;K——开关管;X——低频小功率管;G——高频小功率管;D——低频大功率管;A——高频大功率管。另外,3DJ型为场效应管,BT打头的表示半导体特殊元件。


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楼吉logo
回答数:17396 | 被采纳数:42

8050是非常常见的NPN型晶体三极管,在各种放大电路中经常看到它,应用范围很广,主要用于高频放大。   参数:类型:开关型;   极性:NPN;   材料:硅;   最大集电极电流(A):0.5   A;   直流电增益:10   to   60;   功耗:625   mW;   最大集电极-发射极电压(VCEO):25;   特征频率:150   MHz   PE8050   硅   NPN   30V   1.5A   1.1W   3DG8050   硅   NPN   25V   1.5A   FT=190   *K   2SC8050   硅   NPN   25V   1.5A   FT=190   *K   MC8050   硅   NPN   25V   700mA   200mW   150MHz   CS8050   硅   NPN   25V   1.5A   FT=190   *K


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清城清国
回答数:1318 | 被采纳数:6

三极管型号及参数 
晶体管型号 反压Vbe0 电流Icm 功率Pcm 放大系数 特征频率 管子类型 
IRFU020 50V 15A 42W * * NMOS场效应  
IRFPG42 1000V 4A 150W * * NMOS场效应  
IRFPF40 900V 4.7A 150W * * NMOS场效应  
IRFP9240 200V 12A 150W * * PMOS场效应  
IRFP9140 100V 19A 150W * * PMOS场效应  
IRFP460 500V 20A 250W * * NMOS场效应  
IRFP450 500V 14A 180W * * NMOS场效应  
IRFP440 500V 8A 150W * * NMOS场效应  
IRFP353 350V 14A 180W * * NMOS场效应  
IRFP350 400V 16A 180W * * NMOS场效应  
IRFP340 400V 10A 150W * * NMOS场效应  
IRFP250 200V 33A 180W * * NMOS场效应  
IRFP240 200V 19A 150W * * NMOS场效应  
IRFP150 100V 40A 180W * * NMOS场效应  
晶体管型号 反压Vbe0 电流Icm 功率Pcm 放大系数 特征频率 管子类型 
IRFP140 100V 30A 150W * * NMOS场效应  
IRFP054 60V 65A 180W * * NMOS场效应  
IRFI744 400V 4A 32W * * NMOS场效应  
IRFI730 400V 4A 32W * * NMOS场效应  
IRFD9120 100V 1A 1W * * NMOS场效应  
IRFD123 80V 1.1A 1W * * NMOS场效应 
IRFD120 100V 1.3A 1W * * NMOS场效应  
IRFD113 60V 0.8A 1W * * NMOS场效应  
IRFBE30 800V 2.8A 75W * * NMOS场效应  
IRFBC40 600V 6.2A 125W * * NMOS场效应  
IRFBC30 600V 3.6A 74W * * NMOS场效应  
IRFBC20 600V 2.5A 50W * * NMOS场效应  
IRFS9630 200V 6.5A 75W * * PMOS场效应  
IRF9630 200V 6.5A 75W * * PMOS场效应  
IRF9610 200V 1A 20W * * PMOS场效应  
晶体管型号 反压Vbe0 电流Icm 功率Pcm 放大系数 特征频率 管子类型 
IRF9541 60V 19A 125W * * PMOS场效应  
IRF9531 60V 12A 75W * * PMOS场效应  
IRF9530 100V 12A 75W * * PMOS场效应  
IRF840 500V 8A 125W * * NMOS场效应  
IRF830 500V 4.5A 75W * * NMOS场效应  
IRF740 400V 10A 125W * * NMOS场效应  
IRF730 400V 5.5A 75W * * NMOS场效应  
IRF720 400V 3.3A 50W * * NMOS场效应  
IRF640 200V 18A 125W * * NMOS场效应  
IRF630 200V 9A 75W * * NMOS场效应  
IRF610 200V 3.3A 43W * * NMOS场效应  
IRF541 80V 28A 150W * * NMOS场效应  
IRF540 100V 28A 150W * * NMOS场效应  
IRF530 100V 14A 79W * * NMOS场效应


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