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z1280700570
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1)、在三极管中，空穴和自由电子都参与导电，称为双极型器件，用BJT表示；而场效应管只有多子导电，称为单极型器件，用FET表示。由于多子浓度不受外界温度、光照、辐射的影响，在环境变化剧烈的条件下，选用FET比较合适。 这也就是我们通常所说的场效应管比较稳定的原因。
2)、在放大状态工作时，三极管发射结正偏，有基极电流，为电流控制器件，相应的输入电阻较小，约103Ω；FET在放大状态工作时无栅极电流，为电压控制器件，输入电阻很大，JFET的输入电阻大于107Ω，MOS管的输入电阻大于109Ω。
3)、场效应管的源极和漏极在结构上对称，可以互换使用(但应注意，有时厂家已将MOS管的源极与衬底在管内已经短接，使用时就不能互换)。对耗尽型MOS管的VGS可正、可负、可为零，使用时比较灵活。三极管的集电极和发射极一般不能互换使用。
4)、在低电压小电流状态下工作时，FET可作为压控可变线性电阻器和导通电阻很小的无触点电子开关。
5)、MOS管工艺简单，功耗小，适合于大规模集成。三极管的增益高，非线性失真小，性能稳定。在分立元件电路和中、小规模集成电路中，三极管仍占优势。
6)、三极管的转移特性(ic-vbe的关系)按指数规律变化，场效应管的转移特性按平方规律变化，因此场效应管的非线性失真比三极管的非线性失真大。
7)、场效应管的三种基本组态电路(共源、共漏和共栅)可以对照三极管的共发、共集和共基电路，由于场效应管的栅极无电流，所以输入电阻R'i≈∞。跨导gm比三极管的小一个数量级，gm我们可以用转移特性求导得到
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禹岩123
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场效应管是场效应晶体管(Field Effect Transistor,FET)的简称。它属于电压控制型半导体器件，具有输入电阻高、噪声小、功耗低、没有二次击穿现象、安全工作区域宽、受温度和辐射影响小等优点，特别适用于高灵敏度和低噪声的电路，现已成为普通晶体管的强大竞争者。
你好，据我了解，场效应管和三极管的区别：
普通晶体管(三极管)是一种电流控制元件，工作时，多数载流子和少数载流子都参与运行，所以被称为双极型晶体管；而场效应管(FET)是一种电压控制器件(改变其栅源电压就可以改变其漏极电流)，工作时，只有一种载流子参与导电，因此它是单极型晶体管。
场效应管和三极管一样都能实现信号的控制和放大，但由于他们构造和工作原理截然不同，所以二者的差异很大。在某些特殊应用方面，场效应管优于三极管，是三极管无法替代的。
希望我的回答可以帮助到你，望采纳！
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記憶格式化_0595
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1.分别怎么标注·能看出来·或者在CPU啊某个地方常见· 给CPU供电的是场管,边上还有些小的一点点的是三极管.场管都是成组的,只有内存那边有时是单个的 。
2.分别怎么测量· 看引脚,正三角排列,上E,左下B,右下C 。
3.作用分别是什么· 场管分电压和电流转换,是功率转换型的.三极管主要还是放大电流和电压,有时可以当开关。
4.形状是否又区别· 越大功率越大,小型的只是传输信号的。
5.在内存旁控制内存电压的是个三极管吧·是场管,一般是3.3V或5V过来,直接转成内存需要电压的。
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结型场效应管是通过栅与源漏之间形成的PN结来控制实现晶体管源漏之间的导通，具体地说，是通过控制栅与源漏之间形成PN结的耗尽区的宽度，MOS管虽然也是通过栅压实现对漏电流的控制，但是它的原理是在栅下方的衬底上表面形成一层反
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三极管锗管和硅管的区别 1、三极管是双极型管子，即管子工作时内部由空穴和自由电子两种载流子参与；场效应管是单极型管子，即管子工作时要么只有空穴，要么只有自由电子参与导电，只有一种 载流子。 2、三极管属于电流控制
来自三极管锗管和硅管的区别是什么？2016-09-17 -
焊绝缘栅场效应管。保留原塑料套管或保护铝箔，用一段细裸铜丝在管脚根部绕3～4圈，使管脚可靠地接在一起。然后将细裸铜丝两端拧好，去掉原保护层。再把管脚剪至需要长度并弯成适当形状，以下可像焊普通晶体管那样焊接，焊好后拆除细铜
来自场效应管如何焊接2015-05-04 -
N型的增强型MOS管，驱动电路接栅极G，注意是电压驱动型，查看芯片手册看驱动方式，源极S可接负载或者地，漏极D接电源或者负载P型的S和D相反
来自请问，场效应管怎样焊接2017-07-20 -
MOS管(场效应管)的导通压降下，导通电阻小，栅极驱动不需要电流，损耗小，驱动电路简单，自带保护二极管，热阻特性好，适合大功率并联，缺点开关速度不高，比较昂贵。 三极管开关速度高，大型三极管的Ic可以做的很大，缺点损耗
来自mos管和三极管的区别是什么2015-05-05
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