双色发光二极管内部其实是两个管芯； 一般是三个引出线，有共阴和共阳两种封装； 还有正反向并联的封装，只有两个引出线，正向通电发一种光，反向通电发另一种光。

原理：据PN结的材料、掺杂分布、几何结构和偏置条件的不同，利用其基本特性可以制造多种功能的晶体二极管。如利用PN结单向导电性可以制作整流二极管、检波二极管和开关二极管，利用击穿特性制作稳压二极管和雪崩二极管；利用高掺杂PN结隧道效应制作隧道二极管；利用结电容随外电压变化效应制作变容二极管。使半导体的光电效应与PN结相结合还可以制作多种光电器件。如利用前向偏置异质结的载流子注入与复合可以制造半导体激光二极管与半导体发光二极管；利用光辐射对PN结反向电流的调制作用可以制成光电探测器；利用光生伏特效应可制成太阳电池。此外，利用两个PN结之间的相互作用可以产生放大，振荡等多种电子功能 。PN结是构成双极型晶体管和场效应晶体管的核心，是现代电子技术的基础。

发光二极管简称为LED。由镓(Ga)与砷(AS)、磷(P)的化合物制成的二极管，当电子与空穴复合时能辐射出可见光，因而可以用来制成发光二极管。在电路及仪器中作为指示灯，或者组成文字或数字显示。磷砷化镓二极管发红光，磷化镓二极管发绿光，碳化硅二极管发黄光一定的电流后，电子与空穴不断流过PN结或与之类似的结构面，并进行自发复合产生辐射光的二极管半导体器件。

由红外发光二级管矩阵组成发光体。红外发射二级管由红外辐射效率高的材料（常用砷化镓）制成 PN 结，外加正向偏压向 PN 结注入电流激发红外光。光谱功率分布为中心波长 830 ～ 950nm，半峰带宽约 40nm 左右，它是窄带分布，为普通 CCD 黑白摄像机可感受的范围。其最大的优点是可以完全无红暴，（采用 940～ 950nm 波长红外管）或仅有微弱红暴（红暴为有可见红光）和寿命长。 红外发光二极管的发射功率用辐照度μ W/m2 表示。

双向二极管是在反向电压作用之下工作的。没有光照时，反向电流很小(一般小于0.1微安)，称为暗电流。当有光照时，携带能量的光子进入PN结后，把能量传给共价键上的束缚电子，使部分电子挣脱共价键，从而产生电子---空穴对，称为光生载流子。 希望我的回答能帮到你，望采纳

双向二极管db3一般万用表内的电池是15V而DB3的击穿电压在30V左右,所以万用表直接测量应为无限大,一般情况下可控硅坏的可能性较大， 双向触发二极管(DIAC)属三层结构，具有对称性的二端半导体器件。常用来触发双向可控硅 ，在电路中作过压保护等用途。双向触发二极管正、反向伏安特性几乎完全对称。当器件两端所加电压U低于正向转折电压V(B0)时，器件呈高阻态。当U>V(B0)时，管子击穿导通进入负阻区。同样当U大于反向转折电压V(BR)时，管子同样能进入负阻区。转折电压的对称性用△V(B)表示。

ESD放电二级管是一种过压、防静电保护元件，是为高速数据传输应用的I/O端口保护设计的器件。ESD保护器件是用来避免电子设备中的敏感电路受到ESD(静电放电)的影响。

里面有三个小小的纽扣电池，一个线圈，一个永磁铁，还有整流二极管。线圈与整流二极管连接，当永磁铁在线圈中来回运动时线圈中产生感应电压，在经整流给纽扣电池充电，简单原理就是这样。

它是半导体二极管的一种，可以把电能转化成光能。发光二极管与普通二极管一样是由一个PN结组成，也具有单向导电性。当给发光二极管加上正向电压后，从P区注入到N区的空穴和由N区注入到P区的电子，在PN结附近数微米内分别与N区的电子和P区的空穴复合，产生自发辐射的荧光。

二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的pn结，在其界面处两侧形成空间电荷层，并建有自建电场。当不存在外加电压时，由于pn结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。当外界有正向电压偏置时，外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。 希望我的回答可以帮助到您。

普通二极管在反向电压作用时处于截止状态,只能流过微弱的反向电流,光电二极管在设计和制作时尽量使PN结的面积相对较大,以便接收入射光。

双色发光二极管是在一个封装结构内设置两只不同单色的发光二极管，其中第一只发光二极管的正电极与第二只发光二极管的负电极相互连接后由一只引出脚向外引出；第一只发光二极管的负电极由另一只引出脚向外引出，第二只发光二极管的正电极由第三只引出脚向外引出；或者第一只发光二极管的负电极与第二只发光二极管的正电极相互连接后由另一只引出脚向外引出.

半导体激光二极管原理是半导体中的光发射通常起因于载流子的复合。当半导体的PN结加有正向电压时，会削弱PN结势垒，迫使电子从N区经PN结注入P区，空穴从P区经过PN结注入N区，这些注入PN结附近的非平衡电子和空穴将会发生复合，从而发射出波长为λ的光子，其公式如下： λ=hc/Eg (1)

ESD放电二级管是一种过压、防静电保护元件，是为高速数据传输应用的 I/O端口保护设计的器件。ESD保护器件是用来避免电子设备中的敏感电路受到ESD(静电放电)的影响。 ESD是本世纪中期以来形成的以研究静电的产生与衰减、静电放电模型、静电放电效应如电流热（火花）效应（如静电引起的着火与爆炸）和电磁效应（如电磁干扰）等的学科。近年来随着科学技术的飞速发展、微电子技术的广泛应用及电磁环境越来越复杂，对静电放电的电磁场效应如电磁干扰（EMI）及电磁兼容性（EMC）问题越来越重视。 ESD放电二极管的工作原理是将ESD放电二极管并联于电路中，当电路正常工作时，它处于截止状态（高阻态），不影响线路正常工作，当电路出现异常过压并达到其击穿电压时，它迅速由高阻态变为低阻态，给瞬间电流提供低阻抗导通路径,同时把异常高压箝制在一个安全水平之内，从而保护被保护IC或线路；当异常过压消失，其恢复至高阻态，电路正常工作。

晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的p-n结，在其界面处两侧形成空间电荷层，并建有自建电场。当不存在外加电压时，由于p-n结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。 当外界有正向电压偏置时，外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。当外界有反向电压偏置时，外界电场和自建电场进一步加强，形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流I0。

红外线发光二极管是采用红外辐射效率高的材料制成PN结，然后向偏压向PN结注入电流从而激发其红外光。红外发光二极管的光谱功率分布为中心波长830～950nm，半峰带宽在40nm左右。红外发光二极管在使用中最大优点是可以实现完全的无红暴，或是仅有微弱红暴从而使其寿命得到极大的延长，发出的光是一种电磁波，波长区间从几纳米到1毫米左右。红外发光二极管的工作原理即是红外线发射与接收的方法，可以分为两种，一是直射式，二是反射式。红外发光二极管直射式指的就是发光管和接收管相对的安置在发射与受控物两端，中间相距一定的距离。红外发光二极管反射式指发光管与接收管并列在一起，平时进行接收管操作时始终无光照，在发光管发出红外光线遇到反射物的情况下，接收反射回来的红外光线进行工作。使用双管红外发射电路，可以在很大程度上提高发射功率，增加红外线发射作用距离。

发光二极管是由Ⅲ-Ⅳ族化合物，如GaAs（砷化镓）、GaP（磷化镓）、GaAsP（磷砷化镓）等半导体制成的，其核心是PN结。因此它具有一般P-N结的I-N特性，即正向导通，反向截止、击穿特性。此外，在一定条件下，它还具有发光特性。在正向电压下，电子由N区注入P区，空穴由P区注入N区。进入对方区域的少数载流子（少子）一部分与多数载流子（多子）复合而发光 向左转|向右转 假设发光是在P区中发生的，那么注入的电子与价带空穴直接复合而发光，或者先被发光中心捕获后，再与空穴复合发光。除了这种发光复合外，还有些电子被非发光中心（这个中心介于导带、介带中间附近）捕获，而后再与空穴复合，每次释放的能量不大，不能形成可见光。发光的复合量相对于非发光复合量的比例越大，光量子效率越高。由于复合是在少子扩散区内发光的，所以光仅在*近PN结面数μm以内产生。 理论和实践证明，光的峰值波长λ与发光区域的半导体材料禁带宽度Eg有关，即λ≈1240/Eg（mm）式中Eg的单位为电子伏特（eV）。若能产生可见光（波长在380nm紫光～780nm红光），半导体材料的Eg应在3.26～1.63eV之间。比红光波长长的光为红外光。现在已有红外、红、黄、绿及蓝光发光二极管，但其中蓝光二极管成本、价格很高，使用不普遍。

半导体激光二极管原理： 当外界有正向电压偏置时，外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。 当外界有反向电压偏置时，外界电场和自建电场进一步加强，形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流I0。 希望能帮到你。

流体二极管就是类似某种能够使流体单向流通的器件，利用它可以制成高安全人工心脏，当內腔博动时，內腔结构本身是涡流二极管，只允许血液单向流动，所以能够起到心脏泵血的作用。

其实就像两个稳压二极管负端对负端接上。 当双向稳压二极管的A端接电压正，K端接电压负，左边的稳压二极管是正向导通，相当于一个普通二极管，在上面的压降是0.7V，而右边的才是作为稳压二极管。所以这个双向稳压二极管所稳定的电压是0.7V+右边稳压值。 而反过来，双向稳压二极管的k端接电压正，A端接电压负时候。右边的稳压二极管正向导通，左边的稳压二极管作为稳压二极管。