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提问者:马光济| 广元| 1074次浏览
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已有1条回答

杨丽佳
回答数:3108 | 被采纳数:0

主要以GaAs系列材料发展为主GaP磷化镓。磷化镓,是Ⅲ-Ⅴ族(三五族)元素化合的化合物。GaP是一种间接迁移型半导体,具有低电流、高效率的发光特性,可发光范围函盖红色至黄绿色,为LED主要使用材料之一。GaN氮化镓。氮化镓,是Ⅲ-Ⅴ族元素化合的化合物。GaN使MOVPE制作技术,可制作高亮度纯蓝光LED及纯绿光LED,更可应用于蓝光、绿光雷射二极管之制作。MOVPE虽已是一成熟的磊晶制作技术,但以此技术制作GaN蓝光LED其中仍须相当的专业知识、经验和技巧AlInGaP磷化铝铟镓。AlInGaP此材料是近年来用在高亮度LED之制造上较新的材料,使用MOVPE磊晶法制程。AlGaAs砷化铝镓。为GaAs和AlAs的混晶。AlGaAs适合于制造高亮度红光及红外线LED,主要以LPE磊晶法量产,但因需制作AlGaAs基板,技术难度高。


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