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红外光电探测器应用范围都有啥?

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提问者:韦光辉| 柳州| 715次浏览
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已有2条回答

丁鸿远
回答数:3839 | 被采纳数:0

光电检测器使用由半导体材料制成的光检测元件的光电导效应。所谓的光电导效应,是由经照射的材料的物理现象的导电性的辐射诱导的变化来定义。在军事和国民经济的各个领域光电导探测器具有广泛的用途。在可见光或近红外辐射主要用于测量和检测,工业自动化,光度等;主要用在红外线导弹,红外热成像,红外遥感。另一种应用是在感光摄像管与它的靶面。为了避免光生载流子的扩散引起的图像模糊,在靶表面是连续的薄膜多晶材料具有高电阻,如硫化铅,氧化铅,硫化锑等。其他材料可采取的镶嵌方法,从大约10万个人探测器的整个目标面目标面。


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萧慧语
回答数:3132 | 被采纳数:0

photoconductivedetector利用半导体材料的光电导效应制成的一种光探测器件。所谓光电导效应,是指由辐射引起被照射材料电导率改变的一种物理现象。光电导探测器在军事和国民经济的各个领域有广泛用途。在可见光或近红外波段主要用于射线测量和探测、工业自动控制、光度计量等;在红外波段主要用于导弹制导、红外热成像、红外遥感等方面。光电导体的另一应用是用它做摄像管靶面。为了避免光生载流子扩散引起图像模糊,连续薄膜靶面都用高阻多晶材料,如PbS-PbO、Sb2S3等。其他材料可采取镶嵌靶面的方法,整个靶面由约10万个单独探测器组成。 1873年,英国W史密斯发现硒的光电导效应,但是这种效应长期处于探索研究阶段,未获实际应用。第二次世界大战以后,随着半导体的发展,各种新的光电导材料不断出现。在可见光波段方面,到50年代中期,性能良好的硫化镉、硒化镉光敏电阻和红外波段的硫化铅光电探测器都已投入使用。 60年代初,中远红外波段灵敏的Ge、Si掺杂光电导探测器研制成功,典型的例子是工作在3~5微米和8~14微米波段的Ge:Au(锗掺金)和Ge:Hg光电导探测器。60年代末以后,HgCdTe、PbSnTe等可变禁带宽度的三元系材料的研究取得进展。工作原理和特性光电导效应是内光电效应的一种。 当照射的光子能量hv等于或大于半导体的禁带宽度Eg时,光子能够将价带中的电子激发到导带,从而产生导电的电子、空穴对,这就是本征光电导效应。这里h是普朗克常数,v是光子频率,Eg是材料的禁带宽度(单位为电子伏)。因此,本征光电导体的响应长波限λc为λc=hc/Eg=1.24/Eg(μm)式中c为光速。本征光电导材料的长波限受禁带宽度的限制。


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